产 品 介 绍

      随着工作频率日益提高，寄生参数的提取显得尤为重要，在射频及模拟IC电路设计中，必须通过电磁场（EM）仿真考虑无源器件及无源网络的互连、互耦效应以及射频无源器件及多次谐波影响。IRIS与Cadence Virtuoso的无缝集成，不仅使设计人员能够停留在Virtuoso设计环境中执行电磁场仿真，而且还通过反标、综合和优化等功能实现设计验证前后端的完美融合，极大地帮助IC设计人员减少设计周期并实现一次硅片仿真成功。

主 要 功 能

      • 与Cadence Virtuoso 设计平台的无缝集成，使设计人员能够留在Cadence设计环境中直接执行电磁场仿真。包括端口类型设置，扫描方式及频段设置等。

      • 基于矩量法（MoM）的加速3D平面EM求解器在速度和精度方面提供更佳性能，正确获取先进工艺节点金属的趋肤效应及邻近效应，同时考虑半导体的材料特性。

      • 优化网格剖分以平衡速度和精度、支持矩形和三角形混合剖分来提高仿真速度和收敛。

      • 支持先进节点工艺文件中所定义的bias table和rho table，从而将电导率和实际金属线宽随着版图中宽度和间距变化影响考虑在内。

      • 支持并行处理技术，包括多线程处理和分布式处理，以提高求解器性能的加速和效率，并且充分利用硬件计算资源。同时当存在多个仿真作业时支持批量化仿真。